商品名稱:IGLD60R190D1S
數(shù)據(jù)手冊:IGLD60R190D1S.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-LSON-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
IGLD60R190D1S氮化鎵 HEMT 采用小尺寸 SMD 封裝,適用于需要無散熱器緊湊型器件的應(yīng)用。CoolGaN? 600 V 系列氮化鎵器件通過了全面的氮化鎵定制認(rèn)證,遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)。PG-LSON-8 封裝是一種無引線 SMD 封裝,專為要求最高效率和功率密度的消費(fèi)類 SMPS 和高密度充電器而設(shè)計(jì)。
這種扁平封裝具有 8x8mm2 的小尺寸。該封裝尺寸具有增強(qiáng)的熱阻,結(jié)合其基準(zhǔn)低寄生電感,可在功率密度驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)中作為縮小系統(tǒng)解決方案尺寸的一種新的有效方法。
特征描述
具有增強(qiáng)熱阻的小尺寸 GaN HEMT,適合功率密度驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中的最佳系統(tǒng)解決方案尺寸
CoolGaN? 600V 系列,GaN 定制資格認(rèn)證
優(yōu)勢
提高系統(tǒng)效率
提高功率密度
實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率
降低系統(tǒng)成本
減少電磁干擾
潛在應(yīng)用
低功耗 SMPS
充電器/適配器
基于半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的消費(fèi)類 SMPS(用于硬開關(guān)和軟開關(guān)的半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),如圖騰柱 PFC、高頻 LLC)。
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…S25FL128SDSBHI213
S25FL128SDSBHI213 是一款 128Mbit NOR 閃存。該設(shè)備通過 SPI 接口連接至主機(jī)系統(tǒng)。支持傳統(tǒng)的 SPI 單比特串行輸入/輸出(SingleI/O 或 SIO),以及可選的雙比特(Dual I/O 或 DIO)和四比特(Quad I/O 或 QIO)串行命令。S25FL128SDSBHI213 規(guī)格內(nèi)存類型:非易失性內(nèi)存格…IPB35N10S3L-26
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S25FL128SDSMFBG13 是一款 128Mbit NOR 閃存。該設(shè)備通過 SPI 接口連接至主機(jī)系統(tǒng)。支持傳統(tǒng)的 SPI 單比特串行輸入/輸出(SingleI/O 或 SIO),以及可選的雙比特(Dual I/O 或 DIO)和四比特(Quad I/O 或 QIO)串行命令。S25FL128SDSMFBG13 規(guī)格內(nèi)存類型:非易失性內(nèi)存格…IPB133N12NM6
【IPB133N12NM6】120V,OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 晶體管,正常電平,采用 DPAK 3 引腳封裝。說明:IPB133N12NM6 是 DPAK 3 針封裝的正常級(jí)別 120 V MOSFET,導(dǎo)通電阻為 13.3 mOhm。IPB133N12NM6 是英飛凌 OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 系列的一部分。IPB133N12NM6 規(guī)格參數(shù)…IPB120N06S4-03
IPB120N06S4-03:60V、OptiMOS? -T2 汽車 MOSFET 晶體管,PG-TO263-3IPB120N06S4-03 規(guī)格參數(shù):產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3) 晶體管極性: N-Channel 通道數(shù)量: 1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V Id-連續(xù)漏極電流: 1…電話咨詢:86-755-83294757
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