8 mm),適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET。" />
亚洲精品 国产综合-国产美女爽到高潮久久久-国产精品一区二区三区蜜腚-国产欧美亚洲精品a第二页商品名稱:1ED3830MU12M
數(shù)據(jù)手冊:1ED3830MU12M.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:16-BSSOP
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
1ED3830MU12M 是 EiceDRIVER? 增強(qiáng)型 5.7 kV、3 A 單通道高柔性隔離柵極驅(qū)動器,具有 ±3 A 典型下沉和輸出峰值電流,采用節(jié)省空間的小型 DSO-16 細(xì)間距寬體封裝,具有較大的爬電距離 (>8 mm),適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET。
產(chǎn)品特性
650 V、1200 V、1700 V、2300 V IGBT、SiC 和 Si MOSFET
40 V 絕對最大輸出電源電壓
±3 A、±6 A 和 ±9 A 的典型匯入和匯出峰值輸出電流
獨(dú)立的源輸出和匯輸出,用于硬開關(guān)或可選的兩級關(guān)斷,并帶有主動米勒鉗位
用于參數(shù)配置和狀態(tài)寄存器讀取的 I2C 總線
帶故障輸出的精確、可調(diào)、溫度補(bǔ)償 VCEsat 檢測 (DESAT)
檢測到失飽和后,可調(diào)節(jié) IGBT 軟關(guān)斷
在高達(dá) 125 °C 的高溫環(huán)境下運(yùn)行,160 °C 時過溫關(guān)斷(±10 °C)
嚴(yán)格的集成電路到集成電路傳播延遲匹配(tPDD,max = 30 ns)
高共模瞬態(tài)抗擾度 CMTI = 200 kV/μs
節(jié)省空間的小型 DSO-16 細(xì)間距封裝,爬電距離大(>8 mm)
潛在應(yīng)用
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器 - 緊湊型、標(biāo)準(zhǔn)型、高級伺服驅(qū)動器
太陽能逆變器
UPS 系統(tǒng)
焊接
商用車和農(nóng)用車 (CAV)
商用空調(diào) (CAC)
高壓隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn)換器
隔離式開關(guān)電源 (SMPS)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
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SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實(shí)時響應(yīng)性、計(jì)算能…S25FL128SDSBHI213
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【IPB133N12NM6】120V,OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 晶體管,正常電平,采用 DPAK 3 引腳封裝。說明:IPB133N12NM6 是 DPAK 3 針封裝的正常級別 120 V MOSFET,導(dǎo)通電阻為 13.3 mOhm。IPB133N12NM6 是英飛凌 OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 系列的一部分。IPB133N12NM6 規(guī)格參數(shù)…IPB120N06S4-03
IPB120N06S4-03:60V、OptiMOS? -T2 汽車 MOSFET 晶體管,PG-TO263-3IPB120N06S4-03 規(guī)格參數(shù):產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3) 晶體管極性: N-Channel 通道數(shù)量: 1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V Id-連續(xù)漏極電流: 1…電話咨詢:86-755-83294757
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