商品名稱:IMBF170R1K0M1XTMA1
數(shù)據(jù)手冊:
IMBF170R1K0M1XTMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:21+
封裝:TO-263-7
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件

IMBF170R1K0M1 CoolSiC? 1700 V, 1000 mΩ SiC MOSFET采用TO-263-7增大爬電距離,針對反激式拓撲結(jié)構(gòu)進行了優(yōu)化,適用于眾多電力應用場合下接入直流母線電壓600 V至1000 V的輔助電源。
規(guī)格
FET 類型 N 通道
技術(shù) SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss) 1700 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 5.2A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 12V,15V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值) 1000毫歐 @ 1A,15V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) 5.7V @ 1.1mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值) 5 nC @ 12 V
Vgs(最大值) +20V,-10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) 275 pF @ 1000 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 68W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝型
供應商器件封裝 PG-TO263-7-13
封裝/外殼 TO-263-8,D2Pak(7 引線+接片),TO-263CA
優(yōu)勢
1700 V SiC MOSFET能實現(xiàn)簡單高效的單端反激式拓撲結(jié)構(gòu),適用于輔助電源
SMD(表面貼裝)封裝便于直接集成于PCB,能實現(xiàn)自然對流冷卻,無需額外的散熱器
由于產(chǎn)品封裝的爬電距離和電氣間隙增大,隔離工作量減少
降低系統(tǒng)復雜性
高功率密度
應用領(lǐng)域
儲能系統(tǒng)
電動汽車快速充電
電源
工業(yè)電機驅(qū)動和控制
太陽能系統(tǒng)解決方案
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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