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STL220N6F7是意法半導體的N溝道功率MOSFET，屬于STripFET? F7系列，采用PowerFLAT?（5×6mm）封裝，具有超低導通電阻（RDS(on)）和高電流承載能力，適用于新能源汽車、工業(yè)電機驅(qū)動、服務器電源、光伏逆變器等高功率密度應用場景。

STL220N6F7 特點

超低導通電阻：1.2mΩ（典型值），大幅降低導通損耗，提高系統(tǒng)效率。

高電流承載能力：260A（連續(xù)漏極電流，Tc=25°C），適用于大功率開關(guān)應用。

高速開關(guān)性能：柵極電荷（Qg）僅98nC，支持500kHz以上開關(guān)頻率，減少開關(guān)損耗。

高可靠性：雪崩能量耐受900mJ，增強系統(tǒng)魯棒性，適用于嚴苛環(huán)境。

動態(tài)特性優(yōu)化：反向傳輸電容（Crss）僅230pF，降低EMI輻射30dB以上。

低熱阻設計：結(jié)殼熱阻（Rthj-case）僅0.8°C/W，提升散熱效率。

增強保護機制：過流、過溫、短路保護，提高系統(tǒng)安全性。

封裝優(yōu)化：5×6mm PowerFLAT?封裝，支持高功率密度設計。

銀燒結(jié)工藝，降低熱阻至傳統(tǒng)焊接工藝的1/3。

STL220N6F7 產(chǎn)品參數(shù)

漏源電壓（Vdss）：60V

連續(xù)漏極電流（Id）：120A（允許工作溫度范圍為 0℃至 150℃）

最大功率耗散（Pd）：188W

典型導通電阻（Rds（on））：1.2mΩ（10V，20A 時）

最大導通電阻（Rds（on））：1.4mΩ（10V，20A 時）

閾值電壓（Vgs（th） ：最大 4V（250μA 時）

熱特性：結(jié)溫范圍為 -55℃至 175℃，25°C 時的熱阻（RthJC）為 0.5°C/W

柵極電荷（Qg）：最大 98nC（10V 時）

輸入電容（Ciss）：最大 6600pF（25V 時）

反向傳輸電容（Crss）：230pF（25V 時）

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